2018-05-30 由 科技阿里 發表于3C
記得以前有消息透露，長江儲存主導的國產3DNAND快閃記憶體已經開始安裝光刻機等設備，預計今年下半年開始量產，與NAND快閃記憶體相互比較，咱們國產的DRAM內存生產難度上肯定不如別人。
在2017年10月，兆易創新宣布花費180億進軍DARM市場，與合肥市產業投資控股有限公司合作，也就是合肥長鑫的DARM項目，目標就是19nm工藝的DARM內存，原定將在2018年12月31日前研發成功，實現產品良率不低於百分之10，並逐步開始量產。
目前內存行業主流工藝，剛剛突破20nm工藝不久，只有三星主力製程達到了18nm工藝，所以合肥長鑫的19nm還是有不錯的競爭力的。只需要解決良品率問題。
在達到預期量產目標以後，月產能達到12.5萬晶圓，占全球市場的百分之8。估計國產內存發力後，大家的福利就來了
